NAND、DRAM價 有望續漲

NAND Flash、DRAM等記憶體價格反彈,法人圈估計,不僅第4季合約價可望反彈3%~13%,同時明年第1季有望續漲,看好南亞科(2408)、羣聯等供應鏈營運後市表現。

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國泰證期顧問處經理蔡明翰、臺新投顧協理範婉瑜指出,NAND Flash自8月觸底以來,目前累計漲幅約40%~90%,其中主流512Gb TLC wafer整體第4季漲幅已達67%,預估NAND Flash第4季合約價可望全面起漲,漲幅約8%~13%;DRAM自9月觸底以來累計漲幅約5%~20%,其中DDR5 8Gb合約價格11月漲幅4%、優於前月近3%,但主流DDR4、利基型產品DDR3則呈放緩趨勢,預計第4季合約價全面性止跌回升3%~8%。

由於NAND與DRAM反彈漲幅差異主要是因爲先前NAND大幅虧損,導致原廠更積極拉昇報價及減產,目前仍未回覆損平下,預估NAND漲勢仍將持續。

從需求而言,預估2024年手機、PC出貨量將分別年增5.3%、4.1%,其中新處理器平臺將持續推升DDR5滲透率,隨生成式AI將搭載於手機、PC上,AI學習資料儲存需求將需要更大儲存空間,將進一步推升NAND需求,伺服器預估隨景氣逐步復甦,AI趨勢將持續推升DDR5、HBM等需求。

我们还活着

在供給方面,今年第3季起,隨大廠虧損收斂,庫存持續改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化,三星本季減產預估減產效應將在明年上半年發酵,明年DRAM價格仍能逐季成長。

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